창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL10N3LLH5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STL10N3LLH5 | |
기타 관련 문서 | STL10N3LLH5 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ V | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19m옴 @ 4.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-11843-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STL10N3LLH5 | |
관련 링크 | STL10N, STL10N3LLH5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
CW010R3000JE733 | RES 0.3 OHM 13W 5% AXIAL | CW010R3000JE733.pdf | ||
AD9240BJST | AD9240BJST AD QFP | AD9240BJST.pdf | ||
LST676-Q1R2-1 | LST676-Q1R2-1 OOS DIPSOP | LST676-Q1R2-1.pdf | ||
RTT025R1JTH | RTT025R1JTH ORIGINAL SMD or Through Hole | RTT025R1JTH.pdf | ||
TV06B220K-G | TV06B220K-G COMCHIP SMBDO-214AA | TV06B220K-G.pdf | ||
TA9111 | TA9111 ST ZIP | TA9111.pdf | ||
LSIR3331/TBS-X-PF | LSIR3331/TBS-X-PF LIGITEK DIP | LSIR3331/TBS-X-PF.pdf | ||
KBPC158GM | KBPC158GM LT SMD or Through Hole | KBPC158GM.pdf | ||
TR0402MR-071M2L | TR0402MR-071M2L YAGEO SMD | TR0402MR-071M2L.pdf | ||
UC300325 | UC300325 ORIGINAL SMD or Through Hole | UC300325.pdf | ||
HEF4528BP,652 | HEF4528BP,652 NXP SMD or Through Hole | HEF4528BP,652.pdf |