창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STL100N10F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STL100N10F7 | |
| 기타 관련 문서 | STL100N10F7 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.3m옴 @ 19A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5680pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-13649-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STL100N10F7 | |
| 관련 링크 | STL100, STL100N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | HD43137 | HD43137 MRCN DIP | HD43137.pdf | |
![]() | 16180547 | 16180547 PHIL SMD | 16180547.pdf | |
![]() | WP81342M0820 | WP81342M0820 INTEL BGA | WP81342M0820.pdf | |
![]() | THD30E2A155MT | THD30E2A155MT NIPPON DIP | THD30E2A155MT.pdf | |
![]() | IDT7142SA55JI | IDT7142SA55JI IDT PLCC | IDT7142SA55JI.pdf | |
![]() | 1000UH | 1000UH MAIAYSIA SMD | 1000UH.pdf | |
![]() | BV07 | BV07 N/A SOT23-3 | BV07.pdf | |
![]() | ILC7011AIC5285X | ILC7011AIC5285X FSC SOT353 | ILC7011AIC5285X.pdf | |
![]() | XCV405E-6FGG676G | XCV405E-6FGG676G XILINX BGA | XCV405E-6FGG676G.pdf | |
![]() | P267T-1D-BL-XBO1 | P267T-1D-BL-XBO1 CARLINGTECHNOLOGIES SMD or Through Hole | P267T-1D-BL-XBO1.pdf | |
![]() | NPI43C1R4MTRF | NPI43C1R4MTRF NIC SMD | NPI43C1R4MTRF.pdf |