창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STI26NM60N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx26NM60N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 165m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 140W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-12261 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STI26NM60N | |
| 관련 링크 | STI26N, STI26NM60N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D821MLXAT | 820pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D821MLXAT.pdf | |
![]() | XPGBWT-L1-0000-00GF4 | LED Lighting XLamp® XP-G2 White, Neutral 4750K 2.8V 350mA 115° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | XPGBWT-L1-0000-00GF4.pdf | |
![]() | TNPW2010604KBETF | RES SMD 604K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010604KBETF.pdf | |
![]() | LT3439 | LT3439 LT SMD | LT3439.pdf | |
![]() | C1608JF0J475Z | C1608JF0J475Z TDK SMD or Through Hole | C1608JF0J475Z.pdf | |
![]() | UPD1604GC-099-3B9 | UPD1604GC-099-3B9 NEC QFP | UPD1604GC-099-3B9.pdf | |
![]() | N700043B | N700043B SIE SOP-16 | N700043B.pdf | |
![]() | FF200R10KF2 | FF200R10KF2 EUPEC SMD or Through Hole | FF200R10KF2.pdf | |
![]() | HD6433712C10Q | HD6433712C10Q HITACHI DIP | HD6433712C10Q.pdf | |
![]() | MT46V16M16MBTG8ES | MT46V16M16MBTG8ES MTC TSOP2 | MT46V16M16MBTG8ES.pdf | |
![]() | HMC675LP3ETR | HMC675LP3ETR HITTITE SMD or Through Hole | HMC675LP3ETR.pdf |