창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STI26NM60N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx26NM60N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 165m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-12261 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STI26NM60N | |
관련 링크 | STI26N, STI26NM60N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | SIT8918BE-21-33S-24.750000E | OSC XO 3.3V 24.75MHZ ST | SIT8918BE-21-33S-24.750000E.pdf | |
![]() | RP73D2A90R9BTDF | RES SMD 90.9 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A90R9BTDF.pdf | |
![]() | PQ-02 | PQ-02 KEYENCE SMD or Through Hole | PQ-02.pdf | |
![]() | EPA087-100F | EPA087-100F PCA DIP24 | EPA087-100F.pdf | |
![]() | 1812-220P 3KV | 1812-220P 3KV ORIGINAL 1812 | 1812-220P 3KV.pdf | |
![]() | 10TPA100M | 10TPA100M SANYO SMD | 10TPA100M.pdf | |
![]() | DS1811-3.3 | DS1811-3.3 ORIGINAL TO-92 | DS1811-3.3.pdf | |
![]() | UPD16835AGS-BGG-A | UPD16835AGS-BGG-A RENESAS SSOP38 | UPD16835AGS-BGG-A.pdf | |
![]() | IN28F512 | IN28F512 INTEL PLCC | IN28F512.pdf | |
![]() | CS83161 | CS83161 ON SMD16 | CS83161.pdf | |
![]() | WM8982GEFL/V | WM8982GEFL/V WOLFSON QFN | WM8982GEFL/V.pdf | |
![]() | 40D112K | 40D112K BrightKing DIP | 40D112K.pdf |