창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STH410N4F7-2AG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STH410N4F7-2AG, STH410N4F7-6AG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, STripFET™ F7 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.1m옴 @ 90A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 141nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 365W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | H2Pak-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-16421-2 STH410N4F7-2AG-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STH410N4F7-2AG | |
관련 링크 | STH410N4, STH410N4F7-2AG 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
GQM1555C2D8R5CB01D | 8.5pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GQM1555C2D8R5CB01D.pdf | ||
SS110E-TP | DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMAE | SS110E-TP.pdf | ||
CBC2518T4R7M | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 920mA 260 mOhm Max 1007 (2518 Metric) | CBC2518T4R7M.pdf | ||
CP0020120R0JE66 | RES 120 OHM 20W 5% AXIAL | CP0020120R0JE66.pdf | ||
P51-75-G-I-I36-5V-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Vented Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-75-G-I-I36-5V-000-000.pdf | ||
MSM7512BGS-KR1 | MSM7512BGS-KR1 OKI SO24 | MSM7512BGS-KR1.pdf | ||
304356405 | 304356405 N/A SMD or Through Hole | 304356405.pdf | ||
VP16693-4 VCT-08 | VP16693-4 VCT-08 PHILIPS SMD or Through Hole | VP16693-4 VCT-08.pdf | ||
CA45227M016ET | CA45227M016ET YHC E | CA45227M016ET.pdf | ||
75176AP | 75176AP ORIGINAL DIP8 | 75176AP.pdf | ||
2SJ107-GR | 2SJ107-GR TOSHIBA TO-92S | 2SJ107-GR.pdf | ||
GS35301L | GS35301L ORIGINAL DIP | GS35301L.pdf |