창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STH315N10F7-2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STH315N10F7-2,STH315N10F7-6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 315W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드 + 탭) 변형 | |
| 공급 장치 패키지 | H²PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-14718-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STH315N10F7-2 | |
| 관련 링크 | STH315N, STH315N10F7-2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | AT0402DRD074K12L | RES SMD 4.12KOHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRD074K12L.pdf | |
![]() | TNPW06036K19BEEN | RES SMD 6.19KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW06036K19BEEN.pdf | |
![]() | Y0793136K000T0L | RES 136K OHM 0.4W 0.01% RADIAL | Y0793136K000T0L.pdf | |
![]() | 2SK3018 T106/KN | 2SK3018 T106/KN ROHM SOT-323 | 2SK3018 T106/KN.pdf | |
![]() | 2SC5562 | 2SC5562 TOSHIBA TO-126L | 2SC5562.pdf | |
![]() | A7105 | A7105 AMICCOM QFN | A7105.pdf | |
![]() | SO4393 | SO4393 SANYO SOT-23 | SO4393.pdf | |
![]() | 595-1 | 595-1 ORIGINAL ZIP | 595-1.pdf | |
![]() | DIP10UF 25V 4*7 | DIP10UF 25V 4*7 ORIGINAL SMD or Through Hole | DIP10UF 25V 4*7.pdf | |
![]() | MC100EP59DT | MC100EP59DT ON TSSOP-20 | MC100EP59DT.pdf | |
![]() | K6T2008U2A-YF10T00 | K6T2008U2A-YF10T00 SAMSUNG TSOP | K6T2008U2A-YF10T00.pdf | |
![]() | B45196H2106K109 | B45196H2106K109 EPCOS SMD | B45196H2106K109.pdf |