창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STH270N4F3-2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STH270N4F3-(2,6) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ III | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드 + 탭) 변형 | |
공급 장치 패키지 | H²PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-13773-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STH270N4F3-2 | |
관련 링크 | STH270N, STH270N4F3-2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | CL10F104ZA8NNNL | 0.10µF 25V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10F104ZA8NNNL.pdf | |
![]() | LSM835GE3/TR13 | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB | LSM835GE3/TR13.pdf | |
![]() | RT1210FRD0715R8L | RES SMD 15.8 OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD0715R8L.pdf | |
![]() | ERJ-S1TF2051U | RES SMD 2.05K OHM 1% 1W 2512 | ERJ-S1TF2051U.pdf | |
![]() | 74HC32D (PB) | 74HC32D (PB) PHI 3.9mm-14 | 74HC32D (PB).pdf | |
![]() | HD74LS08 | HD74LS08 HITACHI CDIP14 | HD74LS08.pdf | |
![]() | LSM670-L1 | LSM670-L1 OSRAM SMD | LSM670-L1.pdf | |
![]() | BD8779EFV-E2 | BD8779EFV-E2 ROHM SOP | BD8779EFV-E2.pdf | |
![]() | GRM0332C1E270JD01 | GRM0332C1E270JD01 MURATA SMD or Through Hole | GRM0332C1E270JD01.pdf | |
![]() | RX881MH5 4PINS-SMT | RX881MH5 4PINS-SMT ORIGINAL NA | RX881MH5 4PINS-SMT.pdf | |
![]() | ESE156M200AH2AA | ESE156M200AH2AA ARCOTRNIC DIP | ESE156M200AH2AA.pdf | |
![]() | GT64260BC0-BBD-C100 | GT64260BC0-BBD-C100 Marvell SMD or Through Hole | GT64260BC0-BBD-C100.pdf |