창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STH240N75F3-2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STH240N75F3-(2,6) | |
| 기타 관련 문서 | STH240N75F3-2 View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ III | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 90A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 87nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드 + 탭) 변형 | |
| 공급 장치 패키지 | H²PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-13271-2 STH240N75F32 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STH240N75F3-2 | |
| 관련 링크 | STH240N, STH240N75F3-2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | CA064C220K3GACTU | 22pF Isolated Capacitor 4 Array 25V C0G, NP0 0612 (1632 Metric) 0.063" L x 0.126" W (1.60mm x 3.20mm) | CA064C220K3GACTU.pdf | |
![]() | 0603ZC683JAT2A | 0.068µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 0603ZC683JAT2A.pdf | |
![]() | SFR16S0001309JA500 | RES 13 OHM 1/2W 5% AXIAL | SFR16S0001309JA500.pdf | |
![]() | TLP224GA | TLP224GA TOSHIBA DIP-4 | TLP224GA.pdf | |
![]() | A100 | A100 N/A SMD or Through Hole | A100.pdf | |
![]() | ML6145C | ML6145C F SOP-8 | ML6145C.pdf | |
![]() | MB86029PF-G-BND | MB86029PF-G-BND FUJI QFP | MB86029PF-G-BND.pdf | |
![]() | BC817-25. | BC817-25. NXP SOT-23 | BC817-25..pdf | |
![]() | SP708ECP | SP708ECP SIPEX DIP8 | SP708ECP.pdf | |
![]() | SP1086V-L-3-3 | SP1086V-L-3-3 ORIGINAL SMD or Through Hole | SP1086V-L-3-3.pdf | |
![]() | BCM56538BOKFSBG | BCM56538BOKFSBG BROADCOM BAG | BCM56538BOKFSBG.pdf | |
![]() | MK2716T | MK2716T MOSTEK DIP-24 | MK2716T.pdf |