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STMicroelectronics STH210N75F6-2

STH210N75F6-2
제조업체 부품 번호
STH210N75F6-2
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
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내부 부품 번호EIS-STH210N75F6-2
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서STH210N75F6-2
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체STMicroelectronics
계열DeepGATE™, STripFET™ VI
포장컷 테이프(CT)
부품 현황단종
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)75V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C180A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.8m옴 @ 90A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs171nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds11800pF @ 25V
전력 - 최대300W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드 + 탭) 변형
공급 장치 패키지H²PAK
표준 포장 1
다른 이름497-11251-1
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)STH210N75F6-2
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