창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STH210N75F6-2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STH210N75F6-2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 90A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 171nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드 + 탭) 변형 | |
공급 장치 패키지 | H²PAK | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 497-11251-1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STH210N75F6-2 | |
관련 링크 | STH210N, STH210N75F6-2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
CIG21L1R2MNE | 1.2µH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 125 mOhm 0805 (2012 Metric) | CIG21L1R2MNE.pdf | ||
ATTINY13V- - 8AU | ATTINY13V- - 8AU ATMEL SOIC8 | ATTINY13V- - 8AU.pdf | ||
BH6174 | BH6174 ROHM DIPSOP | BH6174.pdf | ||
PEB2070N-V2.4 | PEB2070N-V2.4 SIEMENS PLCC | PEB2070N-V2.4.pdf | ||
ZWS5-5 | ZWS5-5 TDK Onlyoriginal | ZWS5-5.pdf | ||
TDA8846J | TDA8846J PHILTPS ZIP17 | TDA8846J.pdf | ||
SBX3050 | SBX3050 SONY SMD or Through Hole | SBX3050.pdf | ||
SCR38014LJ01 | SCR38014LJ01 MOT DIP | SCR38014LJ01.pdf | ||
LDB211G4020C003 | LDB211G4020C003 MUR SMD or Through Hole | LDB211G4020C003.pdf | ||
P10142RPU | P10142RPU ORIGINAL SMD or Through Hole | P10142RPU.pdf | ||
AQV201. | AQV201. Panosonic DIP6 | AQV201..pdf |