창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STH12N120K5-2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx12N120K5(-2), STWA12N120K5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ K5 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 690m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44.2nC @ 10V | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1370pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드 + 탭) 변형 | |
공급 장치 패키지 | H2Pak-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-15425-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STH12N120K5-2 | |
관련 링크 | STH12N1, STH12N120K5-2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | VY2100K29U2JS6TV5 | 10pF 440VAC 세라믹 커패시터 U2J 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | VY2100K29U2JS6TV5.pdf | |
![]() | SRN8040-3R6Y | 3.6µH Shielded Wirewound Inductor 4.9A 22 mOhm Max Nonstandard | SRN8040-3R6Y.pdf | |
![]() | CR0402-FX-5110GLF | RES SMD 511 OHM 1% 1/16W 0402 | CR0402-FX-5110GLF.pdf | |
![]() | IR3N81 | IR3N81 ORIGINAL DIP24 | IR3N81.pdf | |
![]() | TSI-FD1452 | TSI-FD1452 SAMSUNG SOP32 | TSI-FD1452.pdf | |
![]() | MX29F400CBTI-70 | MX29F400CBTI-70 MXIC TSOP- | MX29F400CBTI-70.pdf | |
![]() | COPEB888-XXX/V | COPEB888-XXX/V NS PLCC | COPEB888-XXX/V.pdf | |
![]() | LCN1008T-470K-S | LCN1008T-470K-S CHILISIN LCN1008T-470K-S | LCN1008T-470K-S.pdf | |
![]() | QM1103D3 | QM1103D3 INTEL CDIP | QM1103D3.pdf | |
![]() | D3V-21G1-1A4A-K | D3V-21G1-1A4A-K OMRON SMD or Through Hole | D3V-21G1-1A4A-K.pdf | |
![]() | LC875448A-52R6 | LC875448A-52R6 Sanyo 8-bit | LC875448A-52R6.pdf | |
![]() | YB1253ST89XR270 | YB1253ST89XR270 YOBON SOT89 | YB1253ST89XR270.pdf |