창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STF8NM60ND | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx8NM60ND | |
| 기타 관련 문서 | STF8NM60ND View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | FDmesh™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 700m옴 @ 3.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 560pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 25W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STF8NM60ND | |
| 관련 링크 | STF8NM, STF8NM60ND 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | ESRH181M04R | 180µF 4V Aluminum - Polymer Capacitors 2917 (7343 Metric) 12 mOhm 1000 Hrs @ 105°C | ESRH181M04R.pdf | |
![]() | C901U102MYWDCAWL35 | 1000pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U102MYWDCAWL35.pdf | |
![]() | 1825HA680KAT1A | 68pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825HA680KAT1A.pdf | |
![]() | CRGV2512F3M92 | RES SMD 3.92M OHM 1% 1W 2512 | CRGV2512F3M92.pdf | |
![]() | LA186B/9SEF9UG-3-PF | LA186B/9SEF9UG-3-PF LIGITEK ROHS | LA186B/9SEF9UG-3-PF.pdf | |
![]() | 15-24-6240 | 15-24-6240 MOLEX SMD or Through Hole | 15-24-6240.pdf | |
![]() | 1.5FMCJ11CA-W | 1.5FMCJ11CA-W RECTRON DO-214AB | 1.5FMCJ11CA-W.pdf | |
![]() | HSD100IFW | HSD100IFW ORIGINAL SMD or Through Hole | HSD100IFW.pdf | |
![]() | AT1203-19E | AT1203-19E AIMTRON SC70-5 | AT1203-19E.pdf | |
![]() | U010300001 | U010300001 ORIGINAL BGA | U010300001.pdf | |
![]() | 1-5177986-5 | 1-5177986-5 AMP/tyco SMD-BTB | 1-5177986-5.pdf |