창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STF32N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx32N65M5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 119m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3320pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 35W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-11396-5 STF32N65M5-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STF32N65M5 | |
| 관련 링크 | STF32N, STF32N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | BRL2012T1R0M | 1µH Unshielded Wirewound Inductor 850mA 175.5 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | BRL2012T1R0M.pdf | |
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![]() | CMF557K7700DHR6 | RES 7.77K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF557K7700DHR6.pdf | |
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![]() | CL1000A-240-C | CL1000A-240-C HAR SMD or Through Hole | CL1000A-240-C.pdf | |
![]() | PN1101L | PN1101L PANASONIC TOP3-DIP2 | PN1101L.pdf | |
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![]() | GE28F640J3C-120 | GE28F640J3C-120 INTEL BGA | GE28F640J3C-120.pdf | |
![]() | 352631-1(TSTDTS) | 352631-1(TSTDTS) AMP ORIGINAL | 352631-1(TSTDTS).pdf | |
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