창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STF21N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx21N65M5 | |
| 기타 관련 문서 | STF21N65M5 View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 8.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1950pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 30W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-11393-5 STF21N65M5-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STF21N65M5 | |
| 관련 링크 | STF21N, STF21N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | SIT9003AC-13-33EO-66.00000Y | OSC XO 3.3V 66MHZ OE -0.50% | SIT9003AC-13-33EO-66.00000Y.pdf | |
![]() | NRS8040T3R6NJGJ | 3.6µH Shielded Wirewound Inductor 4.9A 19.5 mOhm Max Nonstandard | NRS8040T3R6NJGJ.pdf | |
![]() | ILSB0805ERR10K | 100nH Shielded Multilayer Inductor 250mA 300 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | ILSB0805ERR10K.pdf | |
![]() | P1812-393H | 39µH Unshielded Inductor 280mA 1.848 Ohm Max Nonstandard | P1812-393H.pdf | |
![]() | ADP33X9A2.5 | ADP33X9A2.5 AD SOP-8 | ADP33X9A2.5.pdf | |
![]() | NLC1812-1R0K | NLC1812-1R0K TDK SMD | NLC1812-1R0K.pdf | |
![]() | USL1V4R7MDA | USL1V4R7MDA NICHICON SMD or Through Hole | USL1V4R7MDA.pdf | |
![]() | JTC94B02 | JTC94B02 ORIGINAL SMD or Through Hole | JTC94B02.pdf | |
![]() | SLA3055F2V | SLA3055F2V SEC QFP | SLA3055F2V.pdf | |
![]() | CA91L862A-40IE | CA91L862A-40IE TUNDRA BGA | CA91L862A-40IE.pdf | |
![]() | 2SJ543 / CJ4 | 2SJ543 / CJ4 SANYO SOT-23 | 2SJ543 / CJ4.pdf |