창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STF18NM60N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx18NM60N | |
| 기타 관련 문서 | STF18NM60N View All Specifications | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 285m옴 @ 6.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 30W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-10300-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STF18NM60N | |
| 관련 링크 | STF18N, STF18NM60N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | SB260S-E3/73 | DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO204AL | SB260S-E3/73.pdf | |
![]() | MRS25000C1201FRP00 | RES 1.2K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C1201FRP00.pdf | |
![]() | RMCF 1/8 90.9R 1% R (OBSL) | RMCF 1/8 90.9R 1% R (OBSL) ORIGINAL SOT-23-6 | RMCF 1/8 90.9R 1% R (OBSL).pdf | |
![]() | 4-1437361-0 | 4-1437361-0 TYCO SMD or Through Hole | 4-1437361-0.pdf | |
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![]() | B3100A-E3/61T | B3100A-E3/61T VISHAY DO-214AC | B3100A-E3/61T.pdf | |
![]() | SST32HF1622C-70-4E-LSE. | SST32HF1622C-70-4E-LSE. SST SMD or Through Hole | SST32HF1622C-70-4E-LSE..pdf | |
![]() | GPC11512C-222A | GPC11512C-222A GENERALPL SMD or Through Hole | GPC11512C-222A.pdf | |
![]() | H5DU2582GTR-J3C | H5DU2582GTR-J3C HYNIX SMD or Through Hole | H5DU2582GTR-J3C.pdf | |
![]() | CE-804/CE-804B/CE-804S | CE-804/CE-804B/CE-804S ORIGINAL SMD or Through Hole | CE-804/CE-804B/CE-804S.pdf | |
![]() | MCP603T | MCP603T MICROCHIP SOP8 | MCP603T.pdf | |
![]() | LP75-065 | LP75-065 LP DIP | LP75-065.pdf |