창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD9NM60N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx9NM60N | |
| 기타 관련 문서 | STD9NM60N View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 745m옴 @ 3.25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 452pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 70W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-10959-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD9NM60N | |
| 관련 링크 | STD9N, STD9NM60N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8208AI-2F-33E-25.000000X | OSC XO 3.3V 25MHZ OE | SIT8208AI-2F-33E-25.000000X.pdf | |
![]() | SIT9120AI-2D2-25E74.250000Y | OSC XO 2.5V 74.25MHZ | SIT9120AI-2D2-25E74.250000Y.pdf | |
![]() | 2834834 | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 48VDC Coil Through Hole | 2834834.pdf | |
![]() | T494U107M006AH | T494U107M006AH KEMET SMD | T494U107M006AH.pdf | |
![]() | LT3008ETS8-1.5#PBF | LT3008ETS8-1.5#PBF LINEAR TSOT23-8 | LT3008ETS8-1.5#PBF.pdf | |
![]() | SA1005-Q | SA1005-Q SAIN TQFP100 | SA1005-Q.pdf | |
![]() | K223Z15Y5VF5L2 | K223Z15Y5VF5L2 VISHAY DIP | K223Z15Y5VF5L2.pdf | |
![]() | 89954SOCN HA1-5134/883 | 89954SOCN HA1-5134/883 HARRIS CDIP14 | 89954SOCN HA1-5134/883.pdf | |
![]() | LTC1663IMS8 LT | LTC1663IMS8 LT LT MSOP-8 | LTC1663IMS8 LT.pdf | |
![]() | 2MBI100U-120 | 2MBI100U-120 FUJI IGBT | 2MBI100U-120.pdf | |
![]() | 30PF J(CC0603JRNPO9BN300) | 30PF J(CC0603JRNPO9BN300) YAGEO SMD or Through Hole | 30PF J(CC0603JRNPO9BN300).pdf |