창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD9N40M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STD9N40M2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II Plus | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 497-15465-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STD9N40M2 | |
관련 링크 | STD9N, STD9N40M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | 407F35D036M0000 | 36MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 407F35D036M0000.pdf | |
![]() | CRGV2010F8M06 | RES SMD 8.06M OHM 1% 1/2W 2010 | CRGV2010F8M06.pdf | |
![]() | RS-03K223JT | RS-03K223JT FENGHUA SMD-0603 | RS-03K223JT.pdf | |
![]() | 98044043721 | 98044043721 M SMD or Through Hole | 98044043721.pdf | |
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![]() | 2DL2/5 | 2DL2/5 ORIGINAL 55 15 20 | 2DL2/5.pdf | |
![]() | R3111N222A-TR-F | R3111N222A-TR-F RICOH SOT23-3 | R3111N222A-TR-F.pdf | |
![]() | MR82C52 5962-85015013A | MR82C52 5962-85015013A HAR LCC28 | MR82C52 5962-85015013A.pdf | |
![]() | NMC0805X7R103J50TRPLP (102970) | NMC0805X7R103J50TRPLP (102970) NIC SMD or Through Hole | NMC0805X7R103J50TRPLP (102970).pdf | |
![]() | GCF10A60 | GCF10A60 NIEC TO-220 | GCF10A60.pdf | |
![]() | MK53732F | MK53732F ST DIP | MK53732F.pdf |