창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD86N3LH5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STD86N3LH5 | |
| 기타 관련 문서 | STD86N3LH5 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ V | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1850pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 70W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-8890-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD86N3LH5 | |
| 관련 링크 | STD86N, STD86N3LH5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | FBP-125 | BUSS SEMI CONDUCTOR FUSE | FBP-125.pdf | |
![]() | 0603R-3N9K | 3.9nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 80 mOhm Max 2-SMD | 0603R-3N9K.pdf | |
![]() | RC0201FR-0752R3L | RES SMD 52.3 OHM 1% 1/20W 0201 | RC0201FR-0752R3L.pdf | |
![]() | RNF14BTD5K23 | RES 5.23K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BTD5K23.pdf | |
![]() | CMF6090K900FKRE70 | RES 90.9K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6090K900FKRE70.pdf | |
![]() | TZMC10-GS08/10V | TZMC10-GS08/10V VISHAY LL-34 | TZMC10-GS08/10V.pdf | |
![]() | ECEV0GA470R | ECEV0GA470R PANASONIC SMD | ECEV0GA470R.pdf | |
![]() | LM1036MNOPB | LM1036MNOPB nsc SMD or Through Hole | LM1036MNOPB.pdf | |
![]() | TR3C156M025C0425(156X0025C2TE3) | TR3C156M025C0425(156X0025C2TE3) VISHAY SMD or Through Hole | TR3C156M025C0425(156X0025C2TE3).pdf | |
![]() | M38B59MFH-E112FP | M38B59MFH-E112FP N/A QFP | M38B59MFH-E112FP.pdf | |
![]() | CS7806 | CS7806 ORIGINAL TO-220 | CS7806.pdf |