STMicroelectronics STD5NM60T4
- 제조업체 부품 번호
- STD5NM60T4
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
STD5NM60T4 가격 및 조달
가능 수량
18550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,097.01820
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 STD5NM60T4 재고가 있습니다. 우리는 STMicroelectronics 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 STMicroelectronics 전자 부품 전문. STD5NM60T4 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. STD5NM60T4가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- STD5NM60T4 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
STD5NM60T4 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-STD5NM60T4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STD5NM60, STB8NM60, STP8NM60 | |
| 기타 관련 문서 | STD5NM60 View All Specifications | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 96W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-3163-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD5NM60T4 | |
| 관련 링크 | STD5NM, STD5NM60T4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
STD5NM60T4 의 관련 제품
 | 12063C684JAT2A | 0.68µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12063C684JAT2A.pdf | |
 | TPSD225K050R1200 | 2.2µF Molded Tantalum Capacitors 50V 2917 (7343 Metric) 1.2 Ohm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TPSD225K050R1200.pdf | |
 | PM620-08-RC | Unshielded 6 Coil Inductor Array 244.8µH Inductance - Connected in Series 6.8µH Inductance - Connected in Parallel 11 mOhm DC Resistance (DCR) - Parallel 9.24A 12-SMD | PM620-08-RC.pdf | |
| MRS25000C2329FCT00 | RES 23.2 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C2329FCT00.pdf | |
| HA011012NO | HA011012NO DIODES 1808 | HA011012NO.pdf | |
| UFS380G | UFS380G Microsemi DO-214AB | UFS380G.pdf | |
| BA6480 | BA6480 ROHM SSOP20 | BA6480.pdf | |
| 6MBP20RZ060 | 6MBP20RZ060 FUJI SMD or Through Hole | 6MBP20RZ060.pdf | |
| STTH200F04TV1 | STTH200F04TV1 ST Call | STTH200F04TV1.pdf | |
| SU250-110S28-FA | SU250-110S28-FA SUCCEED 139 88 25(mm) | SU250-110S28-FA.pdf | |
| 8000-88551-0000000 | 8000-88551-0000000 MURR SMD or Through Hole | 8000-88551-0000000.pdf | |
| TA010TCR221M-E2R | TA010TCR221M-E2R ORIGINAL 227 10V | TA010TCR221M-E2R.pdf |