창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD5NM60T4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STD5NM60, STB8NM60, STP8NM60 | |
| 기타 관련 문서 | STD5NM60 View All Specifications | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 96W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-3163-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD5NM60T4 | |
| 관련 링크 | STD5NM, STD5NM60T4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | SMC30J36CA | TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AB | SMC30J36CA.pdf | |
![]() | MPLAD15KP200AE3 | TVS DIODE 200VWM 322VC PLAD | MPLAD15KP200AE3.pdf | |
| TP810PW4K70JE | RES 4.7K OHM 10W 5% RADIAL | TP810PW4K70JE.pdf | ||
![]() | E2E-X3D1-M1TGJ-U 0.3M | Inductive Proximity Sensor 0.118" (3mm) IP67 Cylinder, Threaded - M12 | E2E-X3D1-M1TGJ-U 0.3M.pdf | |
![]() | HI-1565PSI | HI-1565PSI HOLT SMD or Through Hole | HI-1565PSI.pdf | |
![]() | LTC2923CDE/IDE | LTC2923CDE/IDE LT SMD or Through Hole | LTC2923CDE/IDE.pdf | |
![]() | AD585AQ+ | AD585AQ+ AD DIP | AD585AQ+.pdf | |
![]() | 0-179464-2 | 0-179464-2 AMP ROHS | 0-179464-2.pdf | |
![]() | 12.800MHZ 5070 | 12.800MHZ 5070 NDK SMD or Through Hole | 12.800MHZ 5070.pdf | |
![]() | QYX2A102JTP1FD | QYX2A102JTP1FD NICHICON DIP | QYX2A102JTP1FD.pdf | |
![]() | SM5131FS | SM5131FS NPC SOP-16P | SM5131FS.pdf | |
![]() | RM06FTN1053 | RM06FTN1053 TA-ITECH SMD or Through Hole | RM06FTN1053.pdf |