창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD50N03L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STD50N03L(-1) | |
카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ III | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1434pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 497-7970-1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STD50N03L | |
관련 링크 | STD50, STD50N03L 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
SMCJ60A-M3/57T | TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO-214AB | SMCJ60A-M3/57T.pdf | ||
SMBJ4757/TR13 | DIODE ZENER 51V 2W SMBJ | SMBJ4757/TR13.pdf | ||
SI7115DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8 | SI7115DN-T1-GE3.pdf | ||
OZ9924ASN | OZ9924ASN OMICRO SSOP20 | OZ9924ASN.pdf | ||
TSM100ID | TSM100ID ST SOP-8 | TSM100ID.pdf | ||
TAJA105K010RNJ | TAJA105K010RNJ AVX A | TAJA105K010RNJ.pdf | ||
1008PS-103KLC | 1008PS-103KLC COILC SMD | 1008PS-103KLC.pdf | ||
MAX7552JCWP | MAX7552JCWP MAXIM SOP-20 | MAX7552JCWP.pdf | ||
0409B | 0409B MSC SMD or Through Hole | 0409B.pdf | ||
100V/10000UF | 100V/10000UF ORIGINAL SMD or Through Hole | 100V/10000UF.pdf | ||
TC54VC3702EMB713 | TC54VC3702EMB713 MICROCHIP SMD or Through Hole | TC54VC3702EMB713.pdf | ||
TCM6R8M10-B | TCM6R8M10-B RGA B 6.8UF 10V | TCM6R8M10-B.pdf |