창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD46N6F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Spice Model Tutorial for Power MOSFETS STD46N6F7 Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | AN3267 Appl Note AN4191 Appl Note AN4390 Appl Note The Avalanche Issue AN4789 Appl Note | |
| 설계 리소스 | STD46N6F7 Pspice Model | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1065pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-16476-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD46N6F7 | |
| 관련 링크 | STD46, STD46N6F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | Y14880R06600B9R | RES SMD 0.066 OHM 0.1% 2W 3637 | Y14880R06600B9R.pdf | |
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![]() | TCM809R | TCM809R TCM TO23-3 | TCM809R.pdf | |
![]() | FF14-14A-R11B | FF14-14A-R11B DDK SMD or Through Hole | FF14-14A-R11B.pdf | |
![]() | SD103AW-V | SD103AW-V VISHAY SMBJ | SD103AW-V.pdf | |
![]() | C8051F300-26 | C8051F300-26 SILICON SMD or Through Hole | C8051F300-26.pdf | |
![]() | 300041 | 300041 AMS SSOP | 300041.pdf | |
![]() | 3BV.1110008692 | 3BV.1110008692 BV-DNPNAMACH SMD or Through Hole | 3BV.1110008692.pdf |