창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD44N4LF6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STD44N4LF6 | |
| 기타 관련 문서 | STD44N4LF6 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
| 주요제품 | STripFET VI DeepGATE Series Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 44A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.5m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1190pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-11098-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD44N4LF6 | |
| 관련 링크 | STD44N, STD44N4LF6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 511-44F | 9.1µH Unshielded Molded Inductor 350mA 800 mOhm Max Axial | 511-44F.pdf | |
![]() | CRCW0805226RFKEAHP | RES SMD 226 OHM 1% 1/2W 0805 | CRCW0805226RFKEAHP.pdf | |
![]() | 221KD07 | 221KD07 BrightKing DIP | 221KD07.pdf | |
![]() | 1021745 R30 ES | 1021745 R30 ES LEXMARK BGA | 1021745 R30 ES.pdf | |
![]() | RK73H1JTTD1005F | RK73H1JTTD1005F koa SMD or Through Hole | RK73H1JTTD1005F.pdf | |
![]() | AN279 | AN279 MIT DIP | AN279.pdf | |
![]() | 2SK289 | 2SK289 TOS TO-3 | 2SK289.pdf | |
![]() | TC7SH08F(PB) | TC7SH08F(PB) TOSHIBA SOT23-5 | TC7SH08F(PB).pdf | |
![]() | HA9P-51529 | HA9P-51529 INTERSIL SOP28 | HA9P-51529.pdf | |
![]() | 250.5700-0050 | 250.5700-0050 ZYMOS PLCC52 | 250.5700-0050.pdf | |
![]() | CX24155-72AP | CX24155-72AP CONEXANT BGA | CX24155-72AP.pdf |