창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD35NF06T4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STD35NF06 | |
| 기타 관련 문서 | STD35NF06 View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ II | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 17.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 80W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-3159-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD35NF06T4 | |
| 관련 링크 | STD35N, STD35NF06T4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D200GXAAP | 20pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D200GXAAP.pdf | |
![]() | RCWE060391L0JNEA | RES SMD 0.091 OHM 5% 1/5W 0603 | RCWE060391L0JNEA.pdf | |
![]() | RNF14FTD6R49 | RES 6.49 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD6R49.pdf | |
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![]() | 893D686X96R3D2T | 893D686X96R3D2T VISHAY SMD or Through Hole | 893D686X96R3D2T.pdf | |
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![]() | SEI85001CF | SEI85001CF SUMITOMO QFP | SEI85001CF.pdf | |
![]() | RTA222 | RTA222 ORIGINAL DIP40 | RTA222.pdf | |
![]() | LPC1347FBD64 | LPC1347FBD64 NXP NAVIS | LPC1347FBD64.pdf | |
![]() | 2SA1049-GR(F)-09 | 2SA1049-GR(F)-09 Toshiba SOP DIP | 2SA1049-GR(F)-09.pdf | |
![]() | ESW226M035AC3AA | ESW226M035AC3AA ARCOTRNI DIP-2 | ESW226M035AC3AA.pdf |