창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD30NF06LT4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STD30NF06L | |
| 기타 관련 문서 | STD30NF06L View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 70W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-4101-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD30NF06LT4 | |
| 관련 링크 | STD30NF, STD30NF06LT4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
| .jpg) | CRGH1206F53R6 | RES SMD 53.6 OHM 1% 1/2W 1206 | CRGH1206F53R6.pdf | |
|  | CRCW12101K47FKEAHP | RES SMD 1.47K OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW12101K47FKEAHP.pdf | |
|  | ATT-0290-76-HEX-02 | RF Attenuator ±1dB 0Hz ~ 18GHz 2W HEX In-Line Module | ATT-0290-76-HEX-02.pdf | |
|  | E52-THE-E5L 100-200 C0.5M | THERMISTOR SENSOR | E52-THE-E5L 100-200 C0.5M.pdf | |
|  | HY29LV160BB | HY29LV160BB HYNIX IC | HY29LV160BB.pdf | |
|  | BTW67-600/A | BTW67-600/A ST DIP | BTW67-600/A.pdf | |
|  | 05P18MPBW-DJ15 | 05P18MPBW-DJ15 MOT SMD or Through Hole | 05P18MPBW-DJ15.pdf | |
|  | MC68HC16ZICFC16 | MC68HC16ZICFC16 ORIGINAL QFP | MC68HC16ZICFC16.pdf | |
|  | EL53701U | EL53701U EL SSOP24 | EL53701U.pdf | |
|  | 7014-11021-2161000 | 7014-11021-2161000 MURR SMD or Through Hole | 7014-11021-2161000.pdf | |
|  | SCXC1H7581 | SCXC1H7581 SIEM PLCC | SCXC1H7581.pdf |