창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD30N10F7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx30N10F7 | |
제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1270pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 50W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 497-14531-2 STD30N10F7-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STD30N10F7 | |
관련 링크 | STD30N, STD30N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
199D154X0035AXV1E3 | 0.15µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 35V Radial 0.173" Dia (4.40mm) | 199D154X0035AXV1E3.pdf | ||
SCHS15000 | DIODE GEN PURP 15KV 2A AXIAL | SCHS15000.pdf | ||
TNPW2010825KBETF | RES SMD 825K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010825KBETF.pdf | ||
HMC997LC4TR-R5 | RF Amplifier IC Radar 17GHz ~ 27GHz 24-CQFN (4x4) | HMC997LC4TR-R5.pdf | ||
GL256P90FFIM2 | GL256P90FFIM2 SPANSION BGA | GL256P90FFIM2.pdf | ||
R8070P96(11940-38) | R8070P96(11940-38) ROCKWELL IC | R8070P96(11940-38).pdf | ||
SWI1008F-15NJ-PR | SWI1008F-15NJ-PR TAITECH SMD | SWI1008F-15NJ-PR.pdf | ||
F1N4D | F1N4D NO SMD or Through Hole | F1N4D.pdf | ||
TM1668S TM1 | TM1668S TM1 TM SMD or Through Hole | TM1668S TM1.pdf | ||
M29F200B-90M1 | M29F200B-90M1 ST SOP | M29F200B-90M1.pdf | ||
C0402C103J4RAC | C0402C103J4RAC TDK SMD | C0402C103J4RAC.pdf | ||
XC7336QPQ44AC | XC7336QPQ44AC XILINX SMD or Through Hole | XC7336QPQ44AC.pdf |