창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD2NK60Z-1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STF2NK60Z(x) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8옴 @ 700mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 170pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | I-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | 497-12555-5 STD2NK60Z-1-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD2NK60Z-1 | |
| 관련 링크 | STD2NK, STD2NK60Z-1 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | DE2B3KY221KB3BM02F | 220pF 250VAC 세라믹 커패시터 B 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | DE2B3KY221KB3BM02F.pdf | |
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![]() | MKP385451160JPP2T0 | 0.51µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.634" L x 0.709" W (41.50mm x 18.00mm) | MKP385451160JPP2T0.pdf | |
![]() | 850F1K5 | RES CHAS MNT 1.5K OHM 1% 50W | 850F1K5.pdf | |
![]() | RG1608N-333-D-T5 | RES SMD 33K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608N-333-D-T5.pdf | |
![]() | SPS-440-2-E | SPS-440-2-E ORIGINAL DIP | SPS-440-2-E.pdf | |
![]() | 54158DMQB | 54158DMQB NSC CDIP | 54158DMQB.pdf | |
![]() | S-AV35A(TEAL.Q) | S-AV35A(TEAL.Q) TOSHIBA SMD or Through Hole | S-AV35A(TEAL.Q).pdf | |
![]() | 6RI100F-080 | 6RI100F-080 FUJI MODULE | 6RI100F-080.pdf | |
![]() | CST7.37MTW-TF01 | CST7.37MTW-TF01 muRata DIP-3P | CST7.37MTW-TF01.pdf | |
![]() | NVD5890N | NVD5890N ON TO-252 | NVD5890N.pdf | |
![]() | ESMM351VSN151MQ25S | ESMM351VSN151MQ25S NIPPON SMD or Through Hole | ESMM351VSN151MQ25S.pdf |