ON Semiconductor STD24N06LT4G

STD24N06LT4G
제조업체 부품 번호
STD24N06LT4G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
STD24N06LT4G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 617.68600
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 STD24N06LT4G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. STD24N06LT4G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. STD24N06LT4G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
STD24N06LT4G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
STD24N06LT4G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-STD24N06LT4G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
PCN 단종/ EOLReactivation Notice 06/Jan/2012
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C24A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs45m옴 @ 10A, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs32nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1140pF @ 25V
전력 - 최대1.36W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지DPAK-3
표준 포장 2,500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)STD24N06LT4G
관련 링크STD24N0, STD24N06LT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
STD24N06LT4G 의 관련 제품
MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP FDMD8280.pdf
RES SMD 13.7K OHM 1% 1W 2512 AC2512FK-0713K7L.pdf
104/275VAC 103/275VAC 102/275VAC 105/275VAC FARA SMD or Through Hole 104/275VAC 103/275VAC 102/275VAC 105/275VAC.pdf
RT1N441C-T12-1/N3 MITSUBISHI SOT-23 RT1N441C-T12-1/N3.pdf
TPS3807A30DCKT TI SMD or Through Hole TPS3807A30DCKT.pdf
2SK1919LS HITACHI TO-263 2SK1919LS.pdf
LMBT2222AT1G CH SOC-89 LMBT2222AT1G.pdf
YTF242 TOSHIBA TO-3 YTF242.pdf
CIM069P7 SAURO Call CIM069P7.pdf
TDA4290V SIEMENS SMD or Through Hole TDA4290V.pdf