창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD20NF10T4 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STD20NF10 | |
기타 관련 문서 | STD20NF10 View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ II | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 85W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STD20NF10T4 | |
관련 링크 | STD20N, STD20NF10T4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
SIT8924BA-12-33N-12.000000D | OSC XO 3.3V 12MHZ NC | SIT8924BA-12-33N-12.000000D.pdf | ||
SJPB-D4 | DIODE SCHOTTKY 40V 1A SJP | SJPB-D4.pdf | ||
CF42X7R102K1000 1808-102K 1KV | CF42X7R102K1000 1808-102K 1KV KYOCERA SMD or Through Hole | CF42X7R102K1000 1808-102K 1KV.pdf | ||
ID-50D | ID-50D MEAN WELL SMD or Through Hole | ID-50D.pdf | ||
IM4A5-128/64-12YC-15 | IM4A5-128/64-12YC-15 LATTICE SMD or Through Hole | IM4A5-128/64-12YC-15.pdf | ||
LSGT670 J/K-1-0-10 | LSGT670 J/K-1-0-10 OSRAM SMD or Through Hole | LSGT670 J/K-1-0-10.pdf | ||
TPS53124PWPRG4 | TPS53124PWPRG4 TI- HTSSOP28 | TPS53124PWPRG4.pdf | ||
ELL5PS470M | ELL5PS470M PanasonicIndustrial SMD or Through Hole | ELL5PS470M.pdf | ||
CDF2409 | CDF2409 TI SOP | CDF2409.pdf | ||
ISC-1812-1R2 | ISC-1812-1R2 VISHAY SMD or Through Hole | ISC-1812-1R2.pdf | ||
EV80X186EC | EV80X186EC INT SMD or Through Hole | EV80X186EC.pdf | ||
KATOOG00QM-D4YY | KATOOG00QM-D4YY SAMSUNG BGA167 | KATOOG00QM-D4YY.pdf |