창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD18N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx18N65M5 | |
기타 관련 문서 | STD18N65M5 View All Specifications | |
주요제품 | MDmesh™ V Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 220m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1240pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 497-13088-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STD18N65M5 | |
관련 링크 | STD18N, STD18N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
885012207068 | 0.022µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 885012207068.pdf | ||
VJ1210A820JBGAT4X | 82pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A820JBGAT4X.pdf | ||
20101600001P | FUSE GLASS 160MA 250VAC 5X20MM | 20101600001P.pdf | ||
SL1021B350C | GDT 350V 20KA | SL1021B350C.pdf | ||
MTCDP-H5-GP-1.0 | OPEN COMMUNICATIONS GATEWAY | MTCDP-H5-GP-1.0.pdf | ||
AD-TD001 | AD-TD001 ORIGINAL SMD or Through Hole | AD-TD001.pdf | ||
AA01B-P040VA1-R3000 | AA01B-P040VA1-R3000 JAE SMD or Through Hole | AA01B-P040VA1-R3000.pdf | ||
IRLML9301TR | IRLML9301TR IR SMD or Through Hole | IRLML9301TR.pdf | ||
STM32F100C4T6A | STM32F100C4T6A ST SMD or Through Hole | STM32F100C4T6A.pdf | ||
20K621 | 20K621 ORIGINAL SMD or Through Hole | 20K621.pdf |