창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD120N4LF6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx120N4LF6 | |
기타 관련 문서 | STD120N4LF6 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
주요제품 | STripFET VI DeepGATE Series Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 497-11097-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STD120N4LF6 | |
관련 링크 | STD120, STD120N4LF6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
C340C474K1R5CA | 0.47µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.400" L x 0.150" W(10.16mm x 3.81mm) | C340C474K1R5CA.pdf | ||
MA-505 11.0592M-B0: ROHS | 11.0592MHz ±50ppm 수정 16pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-505 11.0592M-B0: ROHS.pdf | ||
UT62L1024LS-55LLH | UT62L1024LS-55LLH UTRON TSSOP32 | UT62L1024LS-55LLH.pdf | ||
IMIZ9975CA | IMIZ9975CA CY QFP-52L | IMIZ9975CA.pdf | ||
SMBD914(5D) | SMBD914(5D) INFINEON SOT23 | SMBD914(5D).pdf | ||
A6B595KA-T | A6B595KA-T ALLEGRO DIP18 | A6B595KA-T.pdf | ||
JNR13S160L | JNR13S160L JOYIN 3A16R | JNR13S160L.pdf | ||
K1V(A)14 | K1V(A)14 SHI DO-54 | K1V(A)14.pdf | ||
AT89C51AC3-S3SUM | AT89C51AC3-S3SUM Atmel SMD or Through Hole | AT89C51AC3-S3SUM.pdf | ||
MAX395CPE | MAX395CPE MAXIM DIP16P | MAX395CPE.pdf | ||
NTF3055L175T3 | NTF3055L175T3 ON SOT223 | NTF3055L175T3.pdf |