창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STD110N8F6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STD110N8F6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ F6 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9130pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 167W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-16032-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STD110N8F6 | |
| 관련 링크 | STD110, STD110N8F6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | B43698A5156Q7 | 15µF 450V Aluminum Capacitors Axial, Can 5.4 Ohm @ 100Hz 7500 Hrs @ 105°C | B43698A5156Q7.pdf | |
![]() | CPF0603F13K7C1 | RES SMD 13.7K OHM 1% 1/16W 0603 | CPF0603F13K7C1.pdf | |
![]() | RG1005V-2670-B-T5 | RES SMD 267 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005V-2670-B-T5.pdf | |
![]() | CF12JT3K30 | RES 3.3K OHM 1/2W 5% CARBON FILM | CF12JT3K30.pdf | |
![]() | CMF60332R00BEBF | RES 332 OHM 1W .1% AXIAL | CMF60332R00BEBF.pdf | |
![]() | AG1170S3 | AG1170S3 SILVERTEL SMD or Through Hole | AG1170S3.pdf | |
![]() | B66315G0000X187 | B66315G0000X187 EPCOS SMD or Through Hole | B66315G0000X187.pdf | |
![]() | N34326202RB | N34326202RB M SMD or Through Hole | N34326202RB.pdf | |
![]() | CABGA | CABGA ORIGINAL SMD or Through Hole | CABGA.pdf | |
![]() | AIC1631-3CN | AIC1631-3CN AIC DIP-8 | AIC1631-3CN.pdf | |
![]() | PV32N203A01B00 | PV32N203A01B00 MURATA DIP-3 | PV32N203A01B00.pdf | |
![]() | dsPIC30F6014AT-20E/P | dsPIC30F6014AT-20E/P MICROCHIP DIPSOPSSOPPLCCQF | dsPIC30F6014AT-20E/P.pdf |