창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB85NF3LLT4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STB85NF3LL | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ II | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 85A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2210pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 497-7953-1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB85NF3LLT4 | |
| 관련 링크 | STB85NF, STB85NF3LLT4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008AIA7-33E | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Enable/Disable | SIT8008AIA7-33E.pdf | |
![]() | CD4039BCN | CD4039BCN NS/FSC SMD or Through Hole | CD4039BCN.pdf | |
![]() | 222246840224 | 222246840224 VISHAY SMD or Through Hole | 222246840224.pdf | |
![]() | C3216Y5V1C106Z00T | C3216Y5V1C106Z00T TDK 1206 | C3216Y5V1C106Z00T.pdf | |
![]() | MAX1332ETE | MAX1332ETE MAXIM TQFN-16 | MAX1332ETE.pdf | |
![]() | 62011-2 | 62011-2 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 62011-2.pdf | |
![]() | HP5331 | HP5331 AVAGO DIPSOP | HP5331.pdf | |
![]() | SN005381.0840 | SN005381.0840 ORIGINAL SMD or Through Hole | SN005381.0840.pdf | |
![]() | 0ZC24.7-Y | 0ZC24.7-Y TOSHIBA SMD or Through Hole | 0ZC24.7-Y.pdf | |
![]() | 0201-383R | 0201-383R YOGEO// SMD or Through Hole | 0201-383R.pdf | |
![]() | EWVYC1B14 | EWVYC1B14 PANSONIC SMD or Through Hole | EWVYC1B14.pdf |