창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB85NF3LLT4 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STB85NF3LL | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ II | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 85A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2210pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 497-7953-1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB85NF3LLT4 | |
관련 링크 | STB85NF, STB85NF3LLT4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
W3A41C472MAT2A | 4700pF Isolated Capacitor 4 Array 100V X7R 0612 (1632 Metric) 0.063" L x 0.126" W (1.60mm x 3.20mm) | W3A41C472MAT2A.pdf | ||
CGA6M2X8R1E225K200AD | 2.2µF 25V 세라믹 커패시터 X8R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CGA6M2X8R1E225K200AD.pdf | ||
SIT3922AI-2CF-33NM250.000000T | OSC XO 3.3V 250MHZ 25 PPM PR | SIT3922AI-2CF-33NM250.000000T.pdf | ||
RG1608N-1432-W-T1 | RES SMD 14.3K OHM 1/10W 0603 | RG1608N-1432-W-T1.pdf | ||
D3636B-1 | D3636B-1 INTEL SMD or Through Hole | D3636B-1.pdf | ||
PDIUSBH11D | PDIUSBH11D PHI SOP16 | PDIUSBH11D.pdf | ||
TAPC640BEBLL3EAPC-3E | TAPC640BEBLL3EAPC-3E ORIGINAL BGA | TAPC640BEBLL3EAPC-3E.pdf | ||
SMTDRS0745-330M | SMTDRS0745-330M L SMD or Through Hole | SMTDRS0745-330M.pdf | ||
D74HC533C | D74HC533C NEC DIP | D74HC533C.pdf | ||
2SK2158-T2B /G23 | 2SK2158-T2B /G23 NEC SOT-23 | 2SK2158-T2B /G23.pdf | ||
K4H560438B-TCA2 | K4H560438B-TCA2 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4H560438B-TCA2.pdf |