창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB80NF03L-04-1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STB80NF03L-04 | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -60°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-12540-5 STB80NF03L-04-1-ND STB80NF03L041 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB80NF03L-04-1 | |
관련 링크 | STB80NF03, STB80NF03L-04-1 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | 416F27012AAT | 27MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27012AAT.pdf | |
![]() | RG3216V-2370-W-T1 | RES SMD 237 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216V-2370-W-T1.pdf | |
![]() | Y0007505R050T0L | RES 505.05 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y0007505R050T0L.pdf | |
![]() | MAX2609EVKIT | EVAL KIT | MAX2609EVKIT.pdf | |
![]() | S159M77P | S159M77P IC DIP-28 | S159M77P.pdf | |
![]() | 6384XS31D3 | 6384XS31D3 MaximIntegratedP SMD or Through Hole | 6384XS31D3.pdf | |
![]() | ECQE6104JF | ECQE6104JF ORIGINAL DIP | ECQE6104JF.pdf | |
![]() | LTC6994CS6-2#TRMPBF | LTC6994CS6-2#TRMPBF LT TSOT-23-6TSOT-6 | LTC6994CS6-2#TRMPBF.pdf | |
![]() | HY5DU283222-36 | HY5DU283222-36 HYNIX BGA | HY5DU283222-36.pdf | |
![]() | 22.67136 MHZ | 22.67136 MHZ ANY SMD or Through Hole | 22.67136 MHZ.pdf | |
![]() | IS610SMTR | IS610SMTR Isocom NA | IS610SMTR.pdf | |
![]() | MDS30-12-02 | MDS30-12-02 ORIGINAL SMD or Through Hole | MDS30-12-02.pdf |