창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB6NM60N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx6NM60N | |
카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 920m옴 @ 2.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 420pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 497-8770-1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB6NM60N | |
관련 링크 | STB6N, STB6NM60N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | BM432 | BM432 BM SMD or Through Hole | BM432.pdf | |
![]() | LMV1089RLEVAL | LMV1089RLEVAL NationalSemiconductor SMD or Through Hole | LMV1089RLEVAL.pdf | |
![]() | HCS5151/P | HCS5151/P PANASONIC BULKDIP | HCS5151/P.pdf | |
![]() | DS1338C-33#TR | DS1338C-33#TR MAXIM SMD or Through Hole | DS1338C-33#TR.pdf | |
![]() | CM3718C1STR | CM3718C1STR ORIGINAL SMD or Through Hole | CM3718C1STR.pdf | |
![]() | EPM3512AQC2087 | EPM3512AQC2087 ORIGINAL SMD or Through Hole | EPM3512AQC2087.pdf | |
![]() | 91-21GDITC | 91-21GDITC agilent LED | 91-21GDITC.pdf | |
![]() | HY5DU121622BLT | HY5DU121622BLT HYNIX TSOP | HY5DU121622BLT.pdf | |
![]() | UPD17226-419 | UPD17226-419 NEC N A | UPD17226-419.pdf | |
![]() | TA48018BF(T6L1,NQ) | TA48018BF(T6L1,NQ) Toshiba PW-MOLD | TA48018BF(T6L1,NQ).pdf | |
![]() | EI425187N | EI425187N AKI DIP16 | EI425187N.pdf |