창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB6NK60ZT4 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx6NK60Z(FP-1) | |
기타 관련 문서 | STB6NK60Z View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 905pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-12537-2 STB6NK60ZT4-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB6NK60ZT4 | |
관련 링크 | STB6NK, STB6NK60ZT4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | MKP385416016JF02W0 | 0.16µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial | MKP385416016JF02W0.pdf | |
![]() | LQH3NPN3R3MMRE | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1.55A 106 mOhm Max Nonstandard | LQH3NPN3R3MMRE.pdf | |
![]() | CJT120470RJJ | RES CHAS MNT 470 OHM 5% 120W | CJT120470RJJ.pdf | |
![]() | 1SMA90CA-E3 | 1SMA90CA-E3 VISHAY DO214AC | 1SMA90CA-E3.pdf | |
![]() | BN150W | BN150W IDEC SMD or Through Hole | BN150W.pdf | |
![]() | XC2173 | XC2173 TOREX SMD or Through Hole | XC2173.pdf | |
![]() | CL-201TR1 | CL-201TR1 CITIZEN ROHS | CL-201TR1.pdf | |
![]() | 2SA1363-T11 | 2SA1363-T11 MISUBISH SMD or Through Hole | 2SA1363-T11.pdf | |
![]() | CR0402JF0100G(0402-10R) | CR0402JF0100G(0402-10R) ORIGINAL SMD or Through Hole | CR0402JF0100G(0402-10R).pdf | |
![]() | GU2D | GU2D TAYCHIPST DO-214AA | GU2D.pdf | |
![]() | AC04000001801JAC00 | AC04000001801JAC00 VISHAY DIP | AC04000001801JAC00.pdf | |
![]() | KAQV412AH | KAQV412AH COSMO DIPSOP | KAQV412AH.pdf |