창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB46N30M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STB46N30M5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 53A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 26.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4240pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-14964-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB46N30M5 | |
관련 링크 | STB46N, STB46N30M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
ASTMUPCE-33-100.000MHZ-LJ-E-T | 100MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCE-33-100.000MHZ-LJ-E-T.pdf | ||
RC0402DR-07165KL | RES SMD 165K OHM 0.5% 1/16W 0402 | RC0402DR-07165KL.pdf | ||
AT0402DRE07523RL | RES SMD 523 OHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRE07523RL.pdf | ||
TNPW2010931KBETF | RES SMD 931K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010931KBETF.pdf | ||
2SJ312 | 2SJ312 NEC TO-263 262 | 2SJ312.pdf | ||
166292-1 | 166292-1 TYCO SMD or Through Hole | 166292-1.pdf | ||
FX519J | FX519J CML CDIP | FX519J.pdf | ||
38510/10101BPA | 38510/10101BPA PHIL/FAI CDIP8 | 38510/10101BPA.pdf | ||
218S4PASA13G/IXP450 | 218S4PASA13G/IXP450 ATI BGA | 218S4PASA13G/IXP450.pdf | ||
SP20F-1-10% | SP20F-1-10% IRC SMD or Through Hole | SP20F-1-10%.pdf | ||
56-724-005-LI | 56-724-005-LI SpectrumAdvancedSpecialtyProducts NA | 56-724-005-LI.pdf | ||
H600198GR1 | H600198GR1 UNKNOWN SMD or Through Hole | H600198GR1.pdf |