창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB46N30M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STB46N30M5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 53A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 26.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4240pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-14964-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB46N30M5 | |
| 관련 링크 | STB46N, STB46N30M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | SR151A471KAT | 470pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR151A471KAT.pdf | |
![]() | BDE6A5.0-3(4-ch) | BDE6A5.0-3(4-ch) IR DFN2020-6L | BDE6A5.0-3(4-ch).pdf | |
![]() | UM91510 | UM91510 ORIGINAL DIP | UM91510.pdf | |
![]() | AC1123 | AC1123 DOUBAN DIP8 | AC1123.pdf | |
![]() | 3DA100B | 3DA100B ORIGINAL SMD or Through Hole | 3DA100B.pdf | |
![]() | DRUCKTASTER SPPH410200 | DRUCKTASTER SPPH410200 ALPS SMD or Through Hole | DRUCKTASTER SPPH410200.pdf | |
![]() | 4N80A | 4N80A FAIRCHILD TO263 | 4N80A.pdf | |
![]() | FCT17-106ME | FCT17-106ME JAT SOT-153 | FCT17-106ME.pdf | |
![]() | UH10099A | UH10099A ORIGINAL SMD or Through Hole | UH10099A.pdf | |
![]() | 0805J06303P3CCT | 0805J06303P3CCT SYFER SMD | 0805J06303P3CCT.pdf | |
![]() | WF06H1203DTL | WF06H1203DTL ORIGINAL SMD | WF06H1203DTL.pdf |