창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB42N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx42N65M5 | |
| 기타 관련 문서 | STB42N65M5 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
| 주요제품 | MDmesh V Series Mosfets | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 79m옴 @ 16.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4650pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-8769-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB42N65M5 | |
| 관련 링크 | STB42N, STB42N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 37316300000 | FUSE BOARD MOUNT 6.3A 250VAC RAD | 37316300000.pdf | |
![]() | AC0805FR-071K43L | RES SMD 1.43K OHM 1% 1/8W 0805 | AC0805FR-071K43L.pdf | |
![]() | RT0603DRE071K58L | RES SMD 1.58KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRE071K58L.pdf | |
![]() | LTV356T | LTV356T Liteon MINIFLAT | LTV356T.pdf | |
![]() | 022U | 022U ORIGINAL SOT-163 | 022U.pdf | |
![]() | ELG107M350AR1AA | ELG107M350AR1AA ARCOTRONICS DIP | ELG107M350AR1AA.pdf | |
![]() | LTGF | LTGF LINEAR SMD or Through Hole | LTGF.pdf | |
![]() | TRJE157M010RNJ | TRJE157M010RNJ AVX E | TRJE157M010RNJ.pdf | |
![]() | RXJ221M2ABK-1320P | RXJ221M2ABK-1320P LELON SMD or Through Hole | RXJ221M2ABK-1320P.pdf | |
![]() | LC863540C-56A9-E | LC863540C-56A9-E SANYO DIP36 | LC863540C-56A9-E.pdf | |
![]() | TC8250BP | TC8250BP TOSHIBA DIP | TC8250BP.pdf | |
![]() | V375B12C200AL | V375B12C200AL VICOR SMD or Through Hole | V375B12C200AL.pdf |