창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB34N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STB,I,P,W34N65M5 | |
| 기타 관련 문서 | STB34N65M5 View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2700pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-13085-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB34N65M5 | |
| 관련 링크 | STB34N, STB34N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 18122C183KAT2A | 0.018µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.180" L x 0.126" W(4.57mm x 3.20mm) | 18122C183KAT2A.pdf | |
![]() | RC0201FR-072K7L | RES SMD 2.7K OHM 1% 1/20W 0201 | RC0201FR-072K7L.pdf | |
![]() | AF0805FR-071M33L | RES SMD 1.33M OHM 1% 1/8W 0805 | AF0805FR-071M33L.pdf | |
![]() | 4114R-1-272 | RES ARRAY 7 RES 2.7K OHM 14DIP | 4114R-1-272.pdf | |
![]() | TMP87PH46NG-ZM | TMP87PH46NG-ZM TOS SMD or Through Hole | TMP87PH46NG-ZM.pdf | |
![]() | MCD250/12io1B | MCD250/12io1B IXYS SMD or Through Hole | MCD250/12io1B.pdf | |
![]() | 494032-2 | 494032-2 ORIGINAL SMD or Through Hole | 494032-2.pdf | |
![]() | GC80960RP33 | GC80960RP33 INTEL QFP | GC80960RP33.pdf | |
![]() | MCF5307FT99 | MCF5307FT99 MOTOROLA SMD or Through Hole | MCF5307FT99.pdf | |
![]() | C6D36DS29D4 | C6D36DS29D4 Tyco con | C6D36DS29D4.pdf | |
![]() | DS20813 | DS20813 ORIGINAL SMD or Through Hole | DS20813.pdf | |
![]() | 2SC890 | 2SC890 NEC CAN | 2SC890.pdf |