STMicroelectronics STB26NM60ND

STB26NM60ND
제조업체 부품 번호
STB26NM60ND
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
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내부 부품 번호EIS-STB26NM60ND
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서STx26NM60ND
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체STMicroelectronics
계열FDmesh™ II
포장컷 테이프(CT)
부품 현황단종
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C21A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs175m옴 @ 10.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs54.6nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1817pF @ 100V
전력 - 최대190W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D2PAK
표준 포장 1
다른 이름497-14264-1
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)STB26NM60ND
관련 링크STB26N, STB26NM60ND 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통
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