창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB25N80K5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx25N80K5 | |
| 기타 관련 문서 | STB25N80K5 View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH5™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 260m옴 @ 19.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-13640-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB25N80K5 | |
| 관련 링크 | STB25N, STB25N80K5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | CP00051R000JB313 | RES 1 OHM 5W 5% AXIAL | CP00051R000JB313.pdf | |
![]() | P51-15-A-T-D-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-15-A-T-D-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | CY23EP09SXI-1H | CY23EP09SXI-1H CYPRESS SMD or Through Hole | CY23EP09SXI-1H.pdf | |
![]() | X51638IZ | X51638IZ INTERSIL SOP8 | X51638IZ.pdf | |
![]() | HD6433308RL72F | HD6433308RL72F HITACHI QFP | HD6433308RL72F.pdf | |
![]() | 8534-4500 SC | 8534-4500 SC M SMD or Through Hole | 8534-4500 SC.pdf | |
![]() | IN5359 T/B | IN5359 T/B ON SMD or Through Hole | IN5359 T/B.pdf | |
![]() | LT4.5MH-C | LT4.5MH-C BAOTON SMD or Through Hole | LT4.5MH-C.pdf | |
![]() | VA-A2012-140JJT | VA-A2012-140JJT CTC SMD or Through Hole | VA-A2012-140JJT.pdf | |
![]() | LM2734YMK+ | LM2734YMK+ NSC SMD or Through Hole | LM2734YMK+.pdf | |
![]() | BP3209 | BP3209 ORIGINAL c | BP3209.pdf |