STMicroelectronics STB13NM60N

STB13NM60N
제조업체 부품 번호
STB13NM60N
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
STB13NM60N 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 2,258.03636
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 STB13NM60N 재고가 있습니다. 우리는 STMicroelectronics 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 STMicroelectronics 전자 부품 전문. STB13NM60N 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. STB13NM60N가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
STB13NM60N 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
STB13NM60N 매개 변수
내부 부품 번호EIS-STB13NM60N
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서STB,D13NM60N Datasheet
기타 관련 문서STB13NM60N View All Specifications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체STMicroelectronics
계열MDmesh™ II
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C11A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs360m옴 @ 5.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs30nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds790pF @ 50V
전력 - 최대90W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D2PAK
표준 포장 1,000
다른 이름497-10984-2
STB13NM60N-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)STB13NM60N
관련 링크STB13N, STB13NM60N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통
STB13NM60N 의 관련 제품
0.33µF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.693" L x 0.728" W (43.00mm x 18.50mm) MKP385433200JPM4T0.pdf
LED Lighting SOLERIQ® S 13 White, Warm 2700K 34.7V 600mA 120° 2-SMD, No Lead GW KAGLB3.EM-STSU-27S3.pdf
RES SMD 8.66KOHM 0.01% 1/4W 0805 PLT0805Z8661LBTS.pdf
2SC2058S ROHM TO-92S 2SC2058S.pdf
BK-GMA-3-R ORIGINAL CALL BK-GMA-3-R.pdf
BQ24172EVM-706-5V TexasInstruments SMD or Through Hole BQ24172EVM-706-5V.pdf
ADM1485TR AD SOP8 ADM1485TR.pdf
HN6244BPE17 HIT DIP HN6244BPE17.pdf
40HQ60 IR SMD or Through Hole 40HQ60.pdf
ADC1410S125HN/C1 NXP SMD or Through Hole ADC1410S125HN/C1.pdf
161284 ORIGINAL TSSOP48 161284.pdf
JCM325CX NEC QFP JCM325CX.pdf