창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB13NK60ZT4 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx13NK60Z(FP,T4) | |
기타 관련 문서 | STB13NK60ZT4 View All Specifications | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 550m옴 @ 4.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 92nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2030pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-6546-2 STB13NK60ZT4-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STB13NK60ZT4 | |
관련 링크 | STB13NK, STB13NK60ZT4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | MKP385511040JKI2B0 | 1.1µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.433" W (31.00mm x 11.00mm) | MKP385511040JKI2B0.pdf | |
![]() | RE1206DRE078K06L | RES SMD 8.06K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RE1206DRE078K06L.pdf | |
![]() | 753101332GP | RES ARRAY 9 RES 3.3K OHM 10SRT | 753101332GP.pdf | |
![]() | N002 | N002 CMD CSP-15 | N002.pdf | |
![]() | ESVA21A106M | ESVA21A106M NEC SMD | ESVA21A106M.pdf | |
![]() | TA12522-850FRC | TA12522-850FRC INTERSIL DIP40 | TA12522-850FRC.pdf | |
![]() | D22223 | D22223 NS SOP14 | D22223.pdf | |
![]() | WKSM024-2511 | WKSM024-2511 ORIGINAL SMD or Through Hole | WKSM024-2511.pdf | |
![]() | B43501A5477M000 | B43501A5477M000 EPCOS DIP | B43501A5477M000.pdf | |
![]() | DAC5682IRGCRG4 | DAC5682IRGCRG4 TI VQFN64 | DAC5682IRGCRG4.pdf | |
![]() | LN1250P302PR | LN1250P302PR LN SOT-89 | LN1250P302PR.pdf | |
![]() | LT3741EUF/IUF | LT3741EUF/IUF LT QFN | LT3741EUF/IUF.pdf |