창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STB100NF03L-03T4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(B,P)100NF03L-03(-1) | |
| 제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ III | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 88nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-7929-2 STB100NF03L-03T4-ND STB100NF03L03T4 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STB100NF03L-03T4 | |
| 관련 링크 | STB100NF0, STB100NF03L-03T4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-P6WF2610V | RES SMD 261 OHM 1% 1/2W 0805 | ERJ-P6WF2610V.pdf | |
![]() | TNPU06031K37BZEN00 | RES SMD 1.37KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPU06031K37BZEN00.pdf | |
![]() | 6400-0003-901 | 6400-0003-901 EPSON QFP | 6400-0003-901.pdf | |
![]() | P036RH06CNO | P036RH06CNO Westcode SMD or Through Hole | P036RH06CNO.pdf | |
![]() | DS2437S-3 | DS2437S-3 MAX Call | DS2437S-3.pdf | |
![]() | MAX533BEEE-T | MAX533BEEE-T SSOP MAXIM | MAX533BEEE-T.pdf | |
![]() | URB4803LD-15WH | URB4803LD-15WH MORNSUN DIP | URB4803LD-15WH.pdf | |
![]() | UPD6145G-101-T1 | UPD6145G-101-T1 NEC SOP20 | UPD6145G-101-T1.pdf | |
![]() | MDS100-16-10 | MDS100-16-10 ORIGINAL SMD or Through Hole | MDS100-16-10.pdf | |
![]() | RBD-6.3V153MK8 | RBD-6.3V153MK8 ELNA DIP | RBD-6.3V153MK8.pdf | |
![]() | MCD312-12N01 | MCD312-12N01 IXYS SMD or Through Hole | MCD312-12N01.pdf |