홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » SSVMUN5312DW1T2G

ON Semiconductor SSVMUN5312DW1T2G

SSVMUN5312DW1T2G
제조업체 부품 번호
SSVMUN5312DW1T2G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
데이터 시트 다운로드
다운로드
SSVMUN5312DW1T2G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 118.46167
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SSVMUN5312DW1T2G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. SSVMUN5312DW1T2G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SSVMUN5312DW1T2G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SSVMUN5312DW1T2G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SSVMUN5312DW1T2G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SSVMUN5312DW1T2G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
PCN 설계/사양Green Compound Update 04/Mar/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)22k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)22k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대187mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지SC-88/SC70-6/SOT-363
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SSVMUN5312DW1T2G
관련 링크SSVMUN531, SSVMUN5312DW1T2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
SSVMUN5312DW1T2G 의 관련 제품
OSC XO 3.3V 156.25MHZ OE SIT9121AI-1D2-33E156.250000Y.pdf
470µH Shielded Molded Inductor 43mA 24 Ohm Max Axial 0925R-474K.pdf
RES SMD 523 OHM 0.1% 1/4W 1206 TNPW1206523RBETA.pdf
RES 14.3 OHM 1/4W 1% AXIAL CMF5014R300FHEB.pdf
IC HALL EFFECT SWITCH SOT23W A1102LLHLX-T.pdf
DS275D DALLAS SMD DS275D.pdf
NDR433.42 ORIGINAL 3P NDR433.42.pdf
MB193A306TF TOSHIBA SOP MB193A306TF.pdf
LM3940F3.3 NSC TO-3P LM3940F3.3.pdf
H5400NL PULSE SMD or Through Hole H5400NL.pdf
CABGA36 ORIGINAL BGA-36D CABGA36.pdf
PHB110N03LT PHILIPS TO-263 PHB110N03LT.pdf