창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-SST39VF040-90-AI-NH | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | SST39VF040-90-AI-NH | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | PLCC32 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | SST39VF040-90-AI-NH | |
관련 링크 | SST39VF040-, SST39VF040-90-AI-NH 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | TH3C476M010C0800 | 47µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2312 (6032 Metric) 800 mOhm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | TH3C476M010C0800.pdf | |
![]() | SIT1602AI-22-25S-12.00000D | OSC XO 2.5V 12MHZ ST | SIT1602AI-22-25S-12.00000D.pdf | |
MA3J74400L | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SMINI3 | MA3J74400L.pdf | ||
![]() | ERB12-06 | ERB12-06 FUJI DO-41 | ERB12-06.pdf | |
![]() | IR3Y54U6 | IR3Y54U6 SHARP QFN | IR3Y54U6.pdf | |
![]() | KM68T1008V2E-TF70 | KM68T1008V2E-TF70 SAMSUNG TSSOP | KM68T1008V2E-TF70.pdf | |
![]() | MDD181-16 | MDD181-16 ORIGINAL SMD or Through Hole | MDD181-16.pdf | |
![]() | A800DT10GI | A800DT10GI AMD BGA | A800DT10GI.pdf | |
![]() | NLU1GT125CMX1TCG | NLU1GT125CMX1TCG ON SMD or Through Hole | NLU1GT125CMX1TCG.pdf | |
![]() | TA 8445 | TA 8445 ORIGINAL SMD or Through Hole | TA 8445.pdf | |
![]() | RT5159 | RT5159 REALTE QFP | RT5159.pdf |