창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM6N7002BFE(T5L,F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SSM6N7002BFE Mosfets Prod Guide | |
제품 교육 모듈 | Small Signal MOSFET | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 17pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | ES6(1.6x1.6) | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SSM6N7002BFE(T5LFCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SSM6N7002BFE(T5L,F | |
관련 링크 | SSM6N7002B, SSM6N7002BFE(T5L,F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
MKP385362016JB02G0 | 0.062µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.177" W (7.20mm x 4.50mm) | MKP385362016JB02G0.pdf | ||
19514000001 | FUSE GLASS 4A 250VAC 5X20MM | 19514000001.pdf | ||
021301.6M | FUSE GLASS 1.6A 250VAC 5X20MM | 021301.6M.pdf | ||
PLT1206Z3830LBTS | RES SMD 383 OHM 0.01% 0.4W 1206 | PLT1206Z3830LBTS.pdf | ||
PWR4412-2SDR0100F | RES 0.01 OHM 5W 1% RADIAL | PWR4412-2SDR0100F.pdf | ||
300-2044-02 | 300-2044-02 POWER SMD or Through Hole | 300-2044-02.pdf | ||
CBB 683J630V | CBB 683J630V ORIGINAL DIP | CBB 683J630V.pdf | ||
X650101 | X650101 TI QFN-48 | X650101.pdf | ||
3R3-RH124 | 3R3-RH124 LY SMD | 3R3-RH124.pdf | ||
CP1004 | CP1004 PANJIT SMD or Through Hole | CP1004.pdf | ||
TDA9351PS/N2/3I ROHS | TDA9351PS/N2/3I ROHS PHIL SMD or Through Hole | TDA9351PS/N2/3I ROHS.pdf | ||
BH76331 | BH76331 ROHM DIPSOP | BH76331.pdf |