창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM6J511NU,LF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SSM6J511NU | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.8V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.1m옴 @ 4A, 8V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3350pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-UDFNB(2x2) | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SSM6J511NULFCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SSM6J511NU,LF | |
관련 링크 | SSM6J51, SSM6J511NU,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
8562R2 | 8562R2 CSG-MOS DIP | 8562R2.pdf | ||
CDR1G25 | CDR1G25 AGERE QFP | CDR1G25.pdf | ||
MAXQ2000-RAX+ | MAXQ2000-RAX+ Maxim SMD or Through Hole | MAXQ2000-RAX+.pdf | ||
3046H0036 | 3046H0036 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3046H0036.pdf | ||
334/100v | 334/100v ORIGINAL SMD or Through Hole | 334/100v.pdf | ||
G5B-1 12VDC DIP-4-12VDC | G5B-1 12VDC DIP-4-12VDC OMRON SMD or Through Hole | G5B-1 12VDC DIP-4-12VDC.pdf | ||
MTM866270L | MTM866270L PANASONIC SOT663 | MTM866270L.pdf | ||
R83X | R83X RICOH SOT-153 | R83X.pdf | ||
BU9831 | BU9831 ROHM SMD or Through Hole | BU9831.pdf | ||
PM-10-15 | PM-10-15 MW SMD or Through Hole | PM-10-15.pdf | ||
MC7805CD2T-TR | MC7805CD2T-TR ON TO263 | MC7805CD2T-TR.pdf |