창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM6H19NU,LF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SSM6H19NU | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.8V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 185m옴 @ 1A, 8V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.2nC(4.2V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 130pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-UDFN(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SSM6H19NU,LF(B SSM6H19NU,LF(T SSM6H19NULFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SSM6H19NU,LF | |
관련 링크 | SSM6H19, SSM6H19NU,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
MAL215099314E3 | 6800µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 10000 Hrs @ 105°C | MAL215099314E3.pdf | ||
ASTMHTE-14.7456MHZ-AR-E-T3 | 14.7456MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-14.7456MHZ-AR-E-T3.pdf | ||
STEVAL-IDS001V5M | EVAL BOARD SPSGRF-915 USB DONGLE | STEVAL-IDS001V5M.pdf | ||
821/50V | 821/50V ORIGINAL SMD or Through Hole | 821/50V.pdf | ||
LTS10804WC | LTS10804WC ORIGINAL SMD or Through Hole | LTS10804WC.pdf | ||
NASDA 91101 | NASDA 91101 ORIGINAL CDIP-8 | NASDA 91101.pdf | ||
910R | 910R ROHM TSSOP-8 | 910R.pdf | ||
SMC10040T-101N-N | SMC10040T-101N-N YAGEO SMD or Through Hole | SMC10040T-101N-N.pdf | ||
BAT17-04 X NOPB | BAT17-04 X NOPB INF SOT23 | BAT17-04 X NOPB.pdf | ||
K9F5608UO8-YCBO | K9F5608UO8-YCBO ORIGINAL SMD or Through Hole | K9F5608UO8-YCBO.pdf | ||
100DCB6F | 100DCB6F TYCO SMD or Through Hole | 100DCB6F.pdf |