창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM5N16FUTE85LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SSM5N16FU | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 10mA, 4V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9.3pF @ 3V | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | |
| 공급 장치 패키지 | USV | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SSM5N16FU(TE85L,F) SSM5N16FUTE85LFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SSM5N16FUTE85LF | |
| 관련 링크 | SSM5N16FU, SSM5N16FUTE85LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | J7TKN-A-4 | CONTACTOR | J7TKN-A-4.pdf | |
![]() | RN73C1E191RBTG | RES SMD 191 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RN73C1E191RBTG.pdf | |
![]() | EE-SPY312 | SENSOR OPTO REFL 2MM-5MM SOLDER | EE-SPY312.pdf | |
![]() | AL03006-29.1K-97-G1 | NTC Thermistor 50k DO-204AH, DO-35, Axial | AL03006-29.1K-97-G1.pdf | |
![]() | SABC517A-LN | SABC517A-LN INFINEON PLCC-84 | SABC517A-LN.pdf | |
![]() | MAX1348SEESA | MAX1348SEESA MAX SOP | MAX1348SEESA.pdf | |
![]() | RN2307(TE85L.F) | RN2307(TE85L.F) TOSHIBA SMD or Through Hole | RN2307(TE85L.F).pdf | |
![]() | LP5900TL-2.6/NOPB | LP5900TL-2.6/NOPB NSC BGA4 | LP5900TL-2.6/NOPB.pdf | |
![]() | I1-201HS-8 | I1-201HS-8 HAR DIP | I1-201HS-8.pdf | |
![]() | S-8251F15MC-BPA-T2 | S-8251F15MC-BPA-T2 SII SMD or Through Hole | S-8251F15MC-BPA-T2.pdf | |
![]() | BZW06-17BRKTR | BZW06-17BRKTR FAGOR SMD or Through Hole | BZW06-17BRKTR.pdf | |
![]() | ICS9250BF-18LFT | ICS9250BF-18LFT IDT SMD | ICS9250BF-18LFT.pdf |