창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM3K56MFV,L3F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SSM3K56MFV | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 800mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 235m옴 @ 800mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 55pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-723 | |
공급 장치 패키지 | VESM | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | SSM3K56MFV,L3F(B SSM3K56MFV,L3F(T SSM3K56MFVL3FTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SSM3K56MFV,L3F | |
관련 링크 | SSM3K56M, SSM3K56MFV,L3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | SIT1602BC-83-XXE-10.000000T | OSC XO 10MHZ OE | SIT1602BC-83-XXE-10.000000T.pdf | |
CMR1F-04M BK | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | CMR1F-04M BK.pdf | ||
![]() | 1N3173R | DIODE STUD MNT 240A 900V DO-9 | 1N3173R.pdf | |
RSMF5JB1K10 | RES METAL OX 5W 1.1K OHM 5% AXL | RSMF5JB1K10.pdf | ||
![]() | ES688S | ES688S ESS SMD or Through Hole | ES688S.pdf | |
![]() | HA12229F | HA12229F HIT SMD or Through Hole | HA12229F.pdf | |
![]() | IRG4RC10STRPBF | IRG4RC10STRPBF IR SOT252 | IRG4RC10STRPBF.pdf | |
![]() | BA656 | BA656 ROHM SIP-9 | BA656.pdf | |
![]() | HZM4.7NBZTL/472 | HZM4.7NBZTL/472 AVX SOD-323 | HZM4.7NBZTL/472.pdf | |
![]() | DNA217 | DNA217 ROHM SOT23 | DNA217.pdf | |
![]() | KM49C512BLJ7TQ1 | KM49C512BLJ7TQ1 SAMSUNG SMD or Through Hole | KM49C512BLJ7TQ1.pdf | |
![]() | ON4804 52-10A | ON4804 52-10A PHILIPS SOT-223 | ON4804 52-10A.pdf |